（原标题：三星获得半导体器件专利成都调研公司，提供了一种新式的半导体器件）

金融界2023年12月16日音讯，据国度学问产权局公告，三星电子株式会社获得一项名为“半导体器件“的专利，授权公告号CN109524468B，恳求日历为2018年9月。

专利节录袒露，本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括第一晶体管，该第一晶体管具有第一阈值电压并包括第一沟说念、承接到第一沟说念的违反的侧壁的第一源极/漏极层、以及围绕第一沟说念并包括轨则堆叠的第一栅极绝缘图案、第一阈值电压戒指图案和第一功函数金属图案的第一栅极结构。该半导体器件包括第二晶体管，杭州神秘顾客服务公司该第二晶体管具有大于第一阈值电压的第二阈值电压，并包括第二沟说念、承接到第二沟说念的违反的侧壁的第二源极/漏极层、以及围绕第二沟说念并包括轨则堆叠的第二栅极绝缘图案、第二阈值电压戒指图案和第二功函数金属图案的第二栅极结构。第二阈值电压戒指图案的厚度即是或小于第一阈值电压戒指图案的厚度。

本文源自：金融界

作家：谍报员

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